特許
J-GLOBAL ID：200903013891902751
X線マスク及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-001419
公開番号（公開出願番号）：特開平9-190958
出願日： 1996年01月09日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】【課題】 0.1μm以下の微細パターン形成に適したX線吸収体を有するX線マスクの提供。【解決手段】 X線マスクは、スパッタ法によって形成したTaとGeの合金からなるX線吸収体1を有する。Geは等倍X線露光で用いられる波長10Å付近のX線の質量吸収係数がB及びTiよりも大きいため、Taと合金を形成した場合に、従来の材料よりも薄い膜厚で同等のコントラストを得ることができる。TaGeは結晶構造がアモルファス構造であるため、0.1μm以下のパターン形成の際に結晶粒界によってパターン側壁が荒れるという問題も生じない。また、結晶構造がアモルファス構造であり、さらに構成元素のTaが不動態膜を形成することから化学的安定性が高く、X線吸収体パターン形成後に酸化によるパターンの寸法変化が生じにくい。
請求項（抜粋）：
X線透過膜上に選択的に形成されたX線吸収体を有するX線マスクであって、前記X線吸収体をTaとGeとの合金で構成したことを特徴とするX線マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
