特許
J-GLOBAL ID：200903080670449237
半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273418
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082849
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 発光波長が極めて安定で、しかも、可視光から赤外線領域までの種々の波長において高い輝度で発光させることができる半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 波長変換機能を有する蛍光物質を半導体発光素子の内部、表面、または、半導体発光装置の樹脂部分または、その他の外囲器の表面または内部に適宜、混合、堆積、または配置することによって、半導体発光素子からの発光をきわめて高い効率で波長変換し、外部に取り出すことができる半導体発光素子および発光装置を提供することができる。
請求項（抜粋）：
第1の波長の光を放出する発光層と、前記発光層が放出する前記第1の波長の光を吸収して前記第1の波長とは異なる第2の波長の光を放出する蛍光物質と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
FI (3件)：
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 C
, H01L 33/00 D
