特許
J-GLOBAL ID：200903013902151397

誘電体薄膜の製造方法

発明者：
香取 健二

香取 健二 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135403
公開番号（公開出願番号）：特開平10-324598
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 薄膜成膜時における薄膜中のビスマスの割合が常に一定に保たれるようにビスマス量を正確に調整することが可能であり、かつ成膜速度を向上させることができる高品質の誘電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 スパッタリング装置10は2つのターゲットホルダ12,13を備えている。ターゲットホルダ12には金属ビスマス(Bi)の金属ターゲット14aが、ターゲットホルダ13には酸化物ターゲット14bがそれぞれ保持される。酸化物ターゲット14bとしては組成式が(Sr,Ca,Ba)y (Ta,Nb)2 O6 ±d (但し,0.6≦y≦1.2,0≦d≦1.0)の酸化物が用いられる。金属ターゲット14aには直流電源15から直流電圧が印加される。金属ターゲット14a上にはビスマス(Bi)のスパッタ率を低減させるためにカーボンチップが設置されている。酸化物ターゲット14bには高周波(RF)電源16から高周波電圧が印加される。成膜時に基板18を加熱することなく成膜後に熱処理を施すことにより強誘電性が得られる。
請求項（抜粋）：
少なくともビスマス(Bi)を含む金属ターゲットと、酸化物ターゲットとの2元のターゲットのスパッタリングを同時に行うことにより、基板上に層状構造の誘電体薄膜を形成することを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。
IPC (8件)：
C30B 29/30 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 313 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (7件)：
C30B 29/30 B ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/34 C ,  H01B 3/00 H ,  H01B 3/12 313 E ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/10 651
引用特許：
審査官引用 (2件)

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