特許
J-GLOBAL ID:200903013927920255
樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
穂高 哲夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-010459
公開番号(公開出願番号):特開2002-212267
出願日: 2001年01月18日
公開日(公表日): 2002年07月31日
要約:
【要約】【課題】 反応性が高く、硬化性が良好で、且つ高接着強度、低チップ反りであり、しかも金属フレーム、セラミック配線板、ガラスエポキシ配線板、ポリイミド配線板等の基板へのブリードアウトが少ない樹脂ペースト組成物を提供する。【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)一般式(I)で表されるフェノール樹脂、(C)一般式(II)で表されるフェノール樹脂、(D)エポキシ樹脂硬化剤及び(E)フィラーを含有してなる樹脂ペースト組成物。【化1】(ただし、式中、nは0〜10の整数を表し、n=0の割合が50重量%以上95重量%未満、R1〜R4はそれぞれ独立に水素又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し、下記一般式(II)で示されるものを除く。)【化2】(ただし、式中、mは0〜8の整数を表し、主たる核体数の割合が85重量%以上、R5〜R7はそれぞれ独立に水素又は炭素数1〜3のアルキル基を表す。)
請求項(抜粋):
(A)エポキシ樹脂、(B)一般式(I)で表されるフェノール樹脂、(C)一般式(II)で表されるフェノール樹脂、(D)エポキシ樹脂硬化剤及び(E)フィラーを含有してなる樹脂ペースト組成物。【化1】(ただし、式中、nは0〜10の整数を表し、n=0の割合が50重量%以上95重量%未満、R1〜R4はそれぞれ独立に水素又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し、下記一般式(II)で示されるものを除く。)【化2】(ただし、式中、mは0〜8の整数を表し、主たる核体数の割合が85重量%以上、R5〜R7はそれぞれ独立に水素又は炭素数1〜3のアルキル基を表す。)
IPC (6件):
C08G 59/62
, C08K 3/00
, C08L 63/00
, C09J161/10
, C09J163/00
, H01L 21/52
FI (6件):
C08G 59/62
, C08K 3/00
, C08L 63/00 C
, C09J161/10
, C09J163/00
, H01L 21/52 E
Fターム (68件):
4J002CC03X
, 4J002CC04X
, 4J002CD04W
, 4J002CD05W
, 4J002CD06W
, 4J002CD07W
, 4J002CD13W
, 4J002DA077
, 4J002DA087
, 4J002DA097
, 4J002DE147
, 4J002DF017
, 4J002EQ026
, 4J002ET006
, 4J002EY016
, 4J002FD017
, 4J002FD146
, 4J002FD156
, 4J036AA01
, 4J036AD08
, 4J036AF06
, 4J036DB05
, 4J036DC31
, 4J036FB08
, 4J036GA06
, 4J036JA07
, 4J036KA03
, 4J040EB052
, 4J040EC041
, 4J040EC061
, 4J040EC071
, 4J040GA11
, 4J040HA066
, 4J040HA136
, 4J040HA306
, 4J040HA326
, 4J040HC03
, 4J040HC04
, 4J040HC12
, 4J040HC15
, 4J040HD38
, 4J040JA05
, 4J040JB02
, 4J040KA03
, 4J040KA16
, 4J040KA17
, 4J040KA32
, 4J040KA42
, 4J040LA01
, 4J040LA06
, 4J040LA08
, 4J040LA11
, 4J040MA02
, 4J040MA04
, 4J040MA05
, 4J040MA10
, 4J040MB03
, 4J040NA20
, 4J040PA30
, 5F047AA11
, 5F047AA13
, 5F047AA17
, 5F047BA34
, 5F047BA35
, 5F047BA52
, 5F047BA54
, 5F047BB11
, 5F047BB16
引用特許: