特許
J-GLOBAL ID:200903013927920255

樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 穂高 哲夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-010459
公開番号(公開出願番号):特開2002-212267
出願日: 2001年01月18日
公開日(公表日): 2002年07月31日
要約:
【要約】【課題】 反応性が高く、硬化性が良好で、且つ高接着強度、低チップ反りであり、しかも金属フレーム、セラミック配線板、ガラスエポキシ配線板、ポリイミド配線板等の基板へのブリードアウトが少ない樹脂ペースト組成物を提供する。【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)一般式(I)で表されるフェノール樹脂、(C)一般式(II)で表されるフェノール樹脂、(D)エポキシ樹脂硬化剤及び(E)フィラーを含有してなる樹脂ペースト組成物。【化1】(ただし、式中、nは0〜10の整数を表し、n=0の割合が50重量%以上95重量%未満、R1〜R4はそれぞれ独立に水素又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し、下記一般式(II)で示されるものを除く。)【化2】(ただし、式中、mは0〜8の整数を表し、主たる核体数の割合が85重量%以上、R5〜R7はそれぞれ独立に水素又は炭素数1〜3のアルキル基を表す。)
請求項(抜粋):
(A)エポキシ樹脂、(B)一般式(I)で表されるフェノール樹脂、(C)一般式(II)で表されるフェノール樹脂、(D)エポキシ樹脂硬化剤及び(E)フィラーを含有してなる樹脂ペースト組成物。【化1】(ただし、式中、nは0〜10の整数を表し、n=0の割合が50重量%以上95重量%未満、R1〜R4はそれぞれ独立に水素又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表し、下記一般式(II)で示されるものを除く。)【化2】(ただし、式中、mは0〜8の整数を表し、主たる核体数の割合が85重量%以上、R5〜R7はそれぞれ独立に水素又は炭素数1〜3のアルキル基を表す。)
IPC (6件):
C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 ,  C09J161/10 ,  C09J163/00 ,  H01L 21/52
FI (6件):
C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 C ,  C09J161/10 ,  C09J163/00 ,  H01L 21/52 E
Fターム (68件):
4J002CC03X ,  4J002CC04X ,  4J002CD04W ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002CD07W ,  4J002CD13W ,  4J002DA077 ,  4J002DA087 ,  4J002DA097 ,  4J002DE147 ,  4J002DF017 ,  4J002EQ026 ,  4J002ET006 ,  4J002EY016 ,  4J002FD017 ,  4J002FD146 ,  4J002FD156 ,  4J036AA01 ,  4J036AD08 ,  4J036AF06 ,  4J036DB05 ,  4J036DC31 ,  4J036FB08 ,  4J036GA06 ,  4J036JA07 ,  4J036KA03 ,  4J040EB052 ,  4J040EC041 ,  4J040EC061 ,  4J040EC071 ,  4J040GA11 ,  4J040HA066 ,  4J040HA136 ,  4J040HA306 ,  4J040HA326 ,  4J040HC03 ,  4J040HC04 ,  4J040HC12 ,  4J040HC15 ,  4J040HD38 ,  4J040JA05 ,  4J040JB02 ,  4J040KA03 ,  4J040KA16 ,  4J040KA17 ,  4J040KA32 ,  4J040KA42 ,  4J040LA01 ,  4J040LA06 ,  4J040LA08 ,  4J040LA11 ,  4J040MA02 ,  4J040MA04 ,  4J040MA05 ,  4J040MA10 ,  4J040MB03 ,  4J040NA20 ,  4J040PA30 ,  5F047AA11 ,  5F047AA13 ,  5F047AA17 ,  5F047BA34 ,  5F047BA35 ,  5F047BA52 ,  5F047BA54 ,  5F047BB11 ,  5F047BB16
引用特許:
審査官引用 (4件)
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