気相成長用基板及びその加熱方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-225159
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070313
出願日： 1996年08月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】サファイアなどの透光性、絶縁性を有する材料の上に気相成長する際に、基板がヒーターからの熱輻射等を効率良く受け、且つまた、均一に加熱されることを目的とした、気相成長用基板及びその加熱処理方法を提供するものである。【解決手段】輻射に対し実質的に透明なウェーハと、前記ウェーハの一主面に密着形成され、輻射に対して実質的な吸収体となっている薄膜とから構成され、輻射によって前記薄膜に発生した熱が前記ウェーハに伝導することにより、前記ウェーハが加熱されるようにした、気相成長用基板を提供する。または、電気的に絶縁性を有するウェーハと、前記ウェーハの一主面に密着形成され、電気的に導電性を有する薄膜とから構成され、前記薄膜に誘導加熱により発生した熱が前記ウェーハに伝導することにより、前記ウェーハが加熱されるようにした、気相成長用基板を提供する。

請求項（抜粋）：

輻射に対し実質的に透明なウェーハと、前記ウェーハの一主面に密着形成され、輻射に対して実質的な吸収体となっている薄膜とから構成され、輻射によって前記薄膜に発生した熱が前記ウェーハに伝導することにより、前記ウェーハが加熱されるようにした、気相成長用基板。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/02 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 Z , H01L 21/02 B , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-303289 出願人：株式会社東芝
特開昭57-208146
特開昭57-042120

全件表示

前のページに戻る