特許
J-GLOBAL ID：200903013939161830

薄膜誘電体素子

発明者：
福島 伸

福島 伸 について

, 
出羽 光明

出羽 光明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-017047
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214943
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 導電性ペロブスカイト型酸化物の多結晶膜を電極として用いた際に、電極/誘電体薄膜界面のモフォロジーの悪化を抑え、リーク電流の増大やキャパシタショートの発生等を抑制する。【解決手段】基板上に順に積層された下部電極、ペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜および上部電極を具備する薄膜誘電体素子である。下部電極は、AEn+1 TMn O3n+1(AEはSr、BaおよびCaから選ばれる少なくとも1種を、TMはRu、IrおよびRhから選ばれる少なくとも 1種の遷移金属元素を示し、 nは 1、 2または 3である)等のRu、Ir、Rh、Cr、Mn、NiおよびCoから選ばれる少なくとも 1種の遷移金属を含有する導電性を有する層状ペロブスカイト型酸化物層を少なくとも有している。
請求項（抜粋）：
基板上に順に積層された下部電極、ペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜および上部電極を具備する薄膜誘電体素子において、前記下部電極は、Ru、Ir、Rh、Cr、Mn、NiおよびCoから選ばれる少なくとも 1種の遷移金属を含有する導電性を有する層状ペロブスカイト型酸化物層を少なくとも有することを特徴とする薄膜誘電体素子。
IPC (9件)：
H01L 27/10 451 ,  H01B 1/08 ,  H01B 3/12 312 ,  H01G 4/10 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
H01L 27/10 451 ,  H01B 1/08 ,  H01B 3/12 312 ,  H01G 4/10 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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