特許
J-GLOBAL ID：200903046630779427

強誘電体不揮発性メモリ

発明者：
鈴木 真之

鈴木 真之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-161422
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335672
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体不揮発性メモリを最適構造で実現する。【構成】 Si基板1上にバッファ層であるMgAl2 O4 薄膜2を介してSrRuO3 薄膜3、Bi2 SrTa2 O9 薄膜4およびSrRuO3 薄膜5を順次積層して強誘電体不揮発性メモリを構成する。Bi2 SrTa2 O9 薄膜4は強誘電体薄膜を構成し、SrRuO3 薄膜3およびSrRuO3 薄膜5はそれぞれ下部電極および上部電極を構成する。Si基板1、MgAl2 O4 薄膜2、SrRuO3 薄膜3、Bi2 SrTa2 O9 薄膜4およびSrRuO3 薄膜5は、相互にほぼ格子整合するように面方位を選ぶ。他の例では、SrRuO3 薄膜3およびSrRuO3 薄膜5の代わりにSr2 RuO4 薄膜を用い、Bi2 SrTa2 O9 薄膜4の代わりに例えば(BaTiO3 )n /(SrTiO3 )m 超格子のような酸化物超格子を用いる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、上記シリコン基板上の酸化物からなるバッファ層と、上記バッファ層上の導電性酸化物薄膜と、上記導電性酸化物薄膜上のビスマス系層状強誘電体酸化物薄膜と、上記ビスマス系層状強誘電体酸化物薄膜上の導電層とを有することを特徴とする強誘電体不揮発性メモリ。
IPC (9件)：
H01L 27/10 451 ,  C30B 29/22 ,  C30B 29/22 501 ,  C30B 29/68 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
H01L 27/10 451 ,  C30B 29/22 D ,  C30B 29/22 501 K ,  C30B 29/68 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (8件)
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