特許
J-GLOBAL ID：200903013982832330
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-320913
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144677
出願日： 1996年11月14日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 18%〜66%のフッ素を含むフッ素添加カ-ボン膜よりなり、比誘電率が「2.5」以下の絶縁膜を備えた半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】)例えばプラズマ処理装置において、圧力0.2Pa、マイクロ波電力2.7kW、高周波電力1.5kW、ウエハ温度350°Cの条件の下、成膜ガスとしてC4 F8 ガス及びC2 H4 ガスを夫々60sccm及び30sccmの流量で導入すると共に、プラズマガスを150sccmの流量で導入し、Fの含有量が22%のCF膜13を成膜する。このようなCF膜13では比誘電率が2.4となる。
請求項（抜粋）：
8%〜72%のフッ素を含むフッ素添加カ-ボン膜よりなる絶縁膜を備えたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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