特許
J-GLOBAL ID：200903070989493888

半導体装置の製造方法

発明者：
門村 新吾

門村 新吾 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-043561
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237783
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 低誘電率のフッ素化アモルファスカーボン系絶縁膜5(a-C:F)を、安定に再現性良く成膜しうる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 プラズマ中にCF系化学種あるいはCF2 系化学種を生成する化合物、一例としてヘキサフルオロ-2-ブチンを原料ガスとしてプラズマCVD法で成膜する。NH3 等の窒化剤を添加してもよい。【効果】 CF系化学種あるいはCF2 系化学種は、フッ素化アモルファスカーボン系絶縁膜5の前駆体そのものであり、CH4 等のカーボン供給ガスを必要とせずそのままプラズマ重合する。したがって安定な組成のフッ素化アモルファスカーボン系絶縁膜5を再現性良く形成できる。
請求項（抜粋）：
放電解離条件下で、プラズマ中にCF系化学種およびCF2 系化学種のうちのいずれか少なくとも一種を生成しうる化合物を主体とする原料ガスを用いたプラズマCVD法により、被処理基板上にフッ素化アモルファスカーボン系絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/314 A ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 K
引用特許：
審査官引用 (4件)
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