薄膜半導体装置及び液晶表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-068783
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260672
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】スループットの低下がなく、信頼性の高い、デバイス特性の優れた薄膜半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】透明絶縁性基板と、この透明絶縁性基板上に形成された薄膜半導体層と、この薄膜半導体層に形成された薄膜トランジスタとを具備し、前記薄膜トランジスタは、高抵抗半導体領域からなるチャネル領域と、このチャネル領域に接して配置された低抵抗半導体領域からなるドレイン領域およびソース領域と、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記ゲート電極は、テ-パ-状の上部側壁と、ほぼ垂直の下部側壁とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

透明絶縁性基板と、この透明絶縁性基板上に形成された薄膜半導体層と、この薄膜半導体層に形成された薄膜トランジスタとを具備し、前記薄膜トランジスタは、高抵抗半導体領域からなるチャネル領域と、このチャネル領域に接して配置された低抵抗半導体領域からなるドレイン領域およびソース領域と、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記ゲート電極は、テ-パ-状の上部側壁と、ほぼ垂直の下部側壁とを有することを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1343 , G02F 1/136 500

FI (4件)：

H01L 29/78 617 K , G02F 1/1343 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 L

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-346434
特開昭59-029289
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-066296 出願人：ソニー株式会社

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