特許

J-GLOBAL ID：200903013992371030

配線基板およびその実装構造

発明者： 隈田原 均 ,  山口 浩一 ,  民 保秀 ,  浜田 紀彰 ,  永江 謙一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264557
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102996
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】ガラス-エポキシ樹脂等を絶縁体とする外部電気回路に対して長期に安定した実装が可能であり、且つガラス量を低減してボイドの発生を抑制した低コストの配線基板とその実装構造を提供する。【解決手段】絶縁基板1と、メタライズ配線層3とを具備する配線基板であって、絶縁基板1を、リチウム珪酸系ガラスなどの屈伏点が400〜800°Cのガラスを25〜70重量%と、nMgO・SiO<SB>2 </SB>(但し、1<n<2,2<n≦5)を10〜50重量%と、クオーツを5〜60重量%の割合で含む成形体を800〜1000°Cの温度で焼成して作製され、ボイド面積占有率が10%以下、40〜400°Cにおける線熱膨張係数が9〜18ppm/°Cの焼結体により形成し、この配線基板を、有機樹脂を含む絶縁体の表面に配線導体が被着形成された外部電気回路基板上に、ロウ付けにより実装する。

請求項（抜粋）：

少なくともMgOおよびSiO2 を構成成分として含有する結晶相を10〜60重量%と、クオーツ結晶相を5〜60重量%と、ガラス相を25〜70重量%の割合で含むとともに、ボイド面積占有率が10%以下、40〜400°Cにおける線熱膨張係数が9〜18ppm/°Cのガラスセラミック焼結体からなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面に形成されたメタライズ配線層とを具備することを特徴とする配線基板。

IPC (2件)：

H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610

FI (2件)：

H01L 23/14 C ,  H05K 1/03 610 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-253439   出願人：京セラ株式会社
• セラミックス基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-259884   出願人：住友金属工業株式会社