エッチング方法、微細構造体の製造方法、導電線の形成方法、薄膜トランジスタの製造方法及び電子機器の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 田中克郎 , 大賀眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-241316
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060076
出願日： 2004年08月20日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】本発明は、微細なパターンを単純な工程で形成し得るエッチング方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、基板上に膜形成材料を含む液滴を配置する第1工程と、前記液滴を乾燥し、前記配置時の液滴の径よりも狭い幅の乾燥膜を形成する第2工程と、前記乾燥膜をエッチング保護膜としてエッチングする第3工程と、を含むエッチング方法により、上記課題を解決する。前記第2工程の後に、前記乾燥膜の一部を除去することにより前記乾燥膜をパターニングする第4工程を含んでもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に膜形成材料を含む液滴を配置する第1工程と、前記液滴を乾燥し、前記配置時の液滴の径よりも狭い幅の乾燥膜を形成する第2工程と、前記乾燥膜をエッチング保護膜としてエッチングする第3工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 , H01L 21/28 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/027 , H01L 21/321

FI (7件)：

H01L21/302 105A , H01L21/28 E , H01L29/78 617J , H01L29/78 616K , H01L29/78 627C , H01L21/30 502D , H01L21/88 C

Fターム (64件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB17 , 4M104DD37 , 4M104DD66 , 4M104DD71 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F004BA04 , 5F004DB02 , 5F004DB08 , 5F004DB30 , 5F004EA03 , 5F004EA05 , 5F004EA06 , 5F004EB02 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH21 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033VV15 , 5F046AA28 , 5F110AA04 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110QQ02 , 5F110QQ04 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (1件)

導電膜配線の形成方法、膜構造体、電気光学装置、並びに電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-119448 出願人：セイコーエプソン株式会社, 株式会社アルバック

審査官引用 (1件)

微細構造の作製法、微細構造、磁気センサ、磁気記録媒体および光磁気記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-221466 出願人：株式会社日立製作所

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