特許
J-GLOBAL ID：200903014007449565

半導体装置の製造方法

発明者：
東野 朋子

東野 朋子 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-068448
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250598
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】半導体装置の信頼性の向上を図る。【解決手段】伸び易い第1テープ5aと、第1テープ5a上に設けられた伸びにくい第2テープ5bとを有するダイシングテープ5上に半導体ウエハを搭載し、その後、ダイシングテープ5上で前記半導体ウエハの外側周囲にリング状治具6を搭載し、さらに前記半導体ウエハをダイシングした後、ダイシングテープ5を外周から引き伸ばしてチップ間隔を広げる。これにより、ダイシングテープ5の前記半導体ウエハの下部が伸び易く、かつその外側周囲に伸びにくい領域が形成された状態でダイシングテープ5を外周から引き伸ばすため、ダイシングテープ5を引き伸ばす力が前記半導体ウエハが搭載された第1テープ5aの領域に伝わり、各チップ形成領域の間隔を十分に広げてピックアップを行うことができる。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
(a)第1の伸張率を有する第1テープと、前記第1の伸張率より低い第2の伸張率を有し、かつ前記第1テープ上に設けられた第2テープとを有するダイシングテープを準備する工程と、 (b)前記ダイシングテープ上に接着層を介して半導体ウエハを搭載する工程と、 (c)前記ダイシングテープ上で、かつ前記半導体ウエハの外側周囲に治具を搭載する工程と、 (d)前記半導体ウエハをダイシングする工程と、 (e)前記ダイシングテープを外周から引き伸ばしてチップ間隔を広げる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/301
FI (1件)：
H01L21/78 X
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • チップ製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-033422   出願人：株式会社東京精密
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM