特許
J-GLOBAL ID：200903076387155661
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-286640
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148470
出願日： 1994年11月21日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】Al配線層上に形成する層間絶縁膜の平坦化方法の改善に関する。【構成】半導体基板上に形成した絶縁膜(31)上にAl配線層(32)を形成する工程と、前記絶縁膜(31)およびAl配線層(32)の表面を被覆するようにシリコン窒化膜(33)を形成する工程と、全面に第1のシリコン酸化膜(34)を形成する工程と、前記シリコン窒化膜(33)の表面をエッチングの終点検出面として前記第1のシリコン酸化膜(34)を全面エッチングすることにより前記Al配線層(32)の側壁酸化膜(35)を形成する工程と、全面に第2のシリコン酸化膜(36)を形成する工程と、全面にSOG膜(37)を塗布する工程と、前記第2のシリコン酸化膜(36)および前記SOG膜(37)をエッチバックする工程とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成した絶縁膜上にAl配線層を形成する工程と、前記絶縁膜およびAl配線層の表面を被覆するようにシリコン窒化膜を形成する工程と、全面に第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜の表面をエッチングの終点検出面として前記第1のシリコン酸化膜を全面エッチングすることにより前記Al配線層の側壁酸化膜を形成する工程と、全面に第2のシリコン酸化膜を形成する工程と、全面にSOG膜を塗布する工程と、前記第2のシリコン酸化膜および前記SOG膜をエッチバックする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/3205
H01L 21/302 E
, H01L 21/302 L
, H01L 21/88 K
