機械的応力を低減された層の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-337240
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211709
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】特にマイクロメカニズム装置の構造物を形成するのに使用できる、許容し得ない熱負荷を回避して形成される機械的応力を低減された層を提供する。【構成】少なくとも2つの部分層13、14から1つの層15を組合せて形成し、その際第1の部分層13を基板11、12の上に施し、第2の部分層14を第1の部分層13の上に施し、第1の部分層13及び第2の部分層14を第1の部分層13及び第2の部分層14のストレス勾配がほぼ相殺されるように互いに調整する。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1の部分層(13)及び第2の部分層(14)から1つの層(15)を組合せて形成し、その際第1の部分層(13)を基板(11、12)の上に施し、第2の部分層(14)を第1の部分層(13)の上に施し、第1の部分層(13)及び第2の部分層(14)を第1の部分層(13)のストレス勾配及び第2の部分層(14)のストレス勾配がほぼ相殺されるように互いに調整することを特徴とする機械的応力を低減された層の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/314 , H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-136521
特開平2-047824
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-234240 出願人：日本電気株式会社

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