特許
J-GLOBAL ID：200903014060037678

薄膜半導体装置の製造方法

発明者：
國井 正文

國井 正文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-309829
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124408
出願日： 2006年11月16日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】低い基板温度であっても成膜速度を維持して結晶性のシリコン薄膜を基板上に成膜可能で、これにより基板上への結晶性のシリコン薄膜の直接成膜を産業上において実用化すると共に、このシリコン薄膜を用いることで高性能化が図られた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】SinH2n+2(n=1,2,3,...)で表されるシラン系ガスと、ハロゲン化ゲルマニウムガスとを原料ガスとして用いたプラズマCVD法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する工程を行う。ハロゲン化ゲルマニウムガスとしては、GeF2、GeF4、およびGeCl4のうちの少なくとも1つを用いる。原料ガスとしてさらにドーパントガスを用いることにより、活性化されたドーパントを含有するシリコン薄膜が成膜される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
SinH2n+2(n=1,2,3,...)で表されるシラン系ガスと、ハロゲン化ゲルマニウムガスとを原料ガスとして用いたプラズマCVD法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する工程を行う ことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  C23C 16/24
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L29/78 618A ,  C23C16/24
Fターム (85件)：
4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030BB04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045CA15 ,  5F045DA61 ,  5F045DP03 ,  5F045EH14 ,  5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK25 ,  5F110HK35 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN16 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
  • 半導体薄膜
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-163574   出願人：三井東圧化学株式会社
  • 特許第3416379号
  • 特許第3416379号
引用文献：
審査官引用 (1件)

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