半導体膜の成膜方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-052284
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243951
出願日： 2004年02月26日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】安価な大面積の透明絶縁性基板上に、結晶構造を含む半導体膜を低温で直接堆積させる成膜方法を提供する技術を課題とする。また、工程数を増加させることなく、短い処理時間で結晶構造を含む半導体膜を成膜する技術も課題とする。【解決手段】本発明は、プラズマCVD法により、成膜室に珪化物気体(モノシラン、ジシラン、トリシランなど)とフッ素(或いはフッ化ハロゲンガス)を原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜を被処理基板に直接成膜する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

成膜室にモノシランガスを導入してプラズマを発生させて成膜室内壁に薄膜を形成した後、モノシランガスとフッ素或いはフッ化ハロゲンガスとを原料ガスとして導入し、プラズマを発生させて結晶構造を含む半導体膜を被処理基板上に成膜することを特徴とする半導体膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (2件)：

H01L21/205 , H01L29/78 618A

Fターム (72件)：

5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC03 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045CA15 , 5F045DP13 , 5F045DQ10 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110BB09 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE28 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP03

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-235919 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (10件)

非単結晶シリコン半導体
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-119844 出願人：キヤノン株式会社
結晶性半導体薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-142738 出願人：三井東圧化学株式会社
表示用薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-301337 出願人：ソニー株式会社

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