特許

J-GLOBAL ID：200903014066770024

半導体装置

発明者： 滝川 修
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-263525
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101100
出願日： 1998年09月17日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 SiCとショットキー電極との反応を抑制してリーク電流の低減をはかる。【解決手段】 SiC1、2と電極との間でショットキー接合が形成された半導体装置において、ショットキー電極4として鉄、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、ロジウム又はこれらの合金を用いる。

請求項（抜粋）：

SiCと電極との間でショットキー接合が形成された半導体装置において、前記電極として鉄、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、ロジウム又はこれらの中から選択された少なくとも2以上の金属の合金を用いることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 D

Fターム (8件)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB25 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD78 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-156862
  
• SiCへの電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-295576   出願人：新日本無線株式会社
• SiCへの電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-295575   出願人：新日本無線株式会社