特許
J-GLOBAL ID：200903014078878750
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-055841
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261182
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 微細配線が形成でき、半導体素子のフリップチップ接続後も装置全体が平坦になり、耐湿性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 所定の位置に整列したバンプ状の金属電極が表裏を貫通するように埋め込まれている絶縁樹脂基板上に、複数の層からなる配線層が積層されており、半導体素子搭載部分の周辺に金属板が残されている半導体装置。
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体素子の電極位置に対応する金属板上の所定の位置に整列したバンプ状の金属電極を、前記金属電極の頂部が露出するように、インジェクション成形又はトランスファー成形により絶縁樹脂で埋め込む工程と、該露出した金属電極と電気的に接続されてなる複数層からなる配線層を該絶縁樹脂上に形成する工程と、該金属板の半導体素子搭載部分のみを除去する工程を含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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