特許

J-GLOBAL ID：200903043667899024

半導体電子部品の製造方法およびウエハ

発明者： 長谷部 昭男 ,  宮本 俊夫 ,  有馬 英夫 ,  山本 健一 ,  春田 亮 ,  坪崎 邦宏 ,  森永 賢一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-026434
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219421
出願日： 1996年02月14日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】半導体電子部品をそのチップサイズとほぼ同程度の大きさにて、しかも高信頼のものを安価に製造,提供する事を目的とする。【解決手段】ウエハを基本単位としてPKG工程を経る。【効果】最も安価で信頼性の高いチップサイズPKGが得られる。

請求項（抜粋）：

前工程にて回路を形成したウエハに対し、ウエハ配線上の電極形成箇所にはんだのスタッドバンプを形成し、該スタッドバンプを均一化した形状にレベリングし、前記ウエハの表裏両面に、有機材料をモールド、またはコーティングし、前記有機材料と同程度の高さか、またはそれ以上の高さによりその先端部が前記有機材料より露出している前記レベリングしたスタッドバンプを、その先端部を研磨、またはエッチングの表面処理を施して第1層の電極と成し、前記表面処理を施した第1層の電極の先端部に、再度はんだのスタッドバンプを形成し、リフローにより該スタッドバンプを均一化した形状の第2層の電極と成し、前記ウエハをチップ毎にダイシングしてチップサイズパッケージを得る半導体電子部品の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/321

FI (5件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/78 A ,  H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/92 604 A ,  H01L 21/92 604 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-167350
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-044472   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-153650   出願人：日本電気株式会社