特許

J-GLOBAL ID：200903014103002148

メモリの素子及びその製造方法

発明者： 木島 健 ,  井上 聡
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-109580
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319651
出願日： 2003年04月14日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】本発明の目的は、1T1C型、2T2C型、単純マトリクス型、及び1T型強誘電体メモリの持つ課題をほぼ完全に解決する全く新しいセル構造を有し、且つ非破壊読み出しを可能とした強誘電体メモリを提供することにある。【解決手段】単純マトリクス型強誘電体キャパシタセルのビット線上に単純マトリクス型TFTセル上の第2ゲート電極とを固体接合する。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

半導体基板自身の電気伝導度変化を異なったデータとして利用することを特徴とするメモリ素子。

IPC (2件)：

H01L27/105 ,  G11C11/22

FI (3件)：

H01L27/10 444A ,  G11C11/22 501A ,  G11C11/22 503

Fターム (15件)：

5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083FR05 ,  5F083HA10 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性メモリセルトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-274424   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置とその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-142280   出願人：三菱電機株式会社