半導体装置とその制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大岩増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-142280
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335645
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】集積度が高く、動作制御を正確に行うことができる不揮発性の半導体装置を得る。【構成】この発明によるメモリセルトランジスタはゲート電極6と半導体領域1の間に強誘電体膜を含むゲート誘電体膜5を形成し、半導体領域1を介してゲート電極6に対する位置に裏面電極7を形成している。裏面電極7に電位を印加することで半導体領域1のチャネル形成領域4にチャネルを形成し、チャネルとゲート電極6との電位差によって強誘電体を任意に分極させ、メモリセルに情報を書き込むことが可能となる。

請求項（抜粋）：

チャネル領域となる第一の導電型の半導体領域、上記第一の導電型の半導体領域の両端に形成されたソース/ドレイン領域となる第二の導電型の半導体領域、上記第一の導電型の半導体領域の一主面上に形成された強誘電体膜を含むゲート誘電体膜、上記強誘電体膜上に形成されたゲート電極、上記第一の導電型の半導体領域の他の主面の上記ゲート電極に対向する位置に絶縁膜を介して形成された裏面電極を含むメモリセルを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

メモリ-素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-183605 出願人：カシオ計算機株式会社
不揮発性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-341697 出願人：ソニー株式会社
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-317722 出願人：株式会社日立製作所

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