特許
J-GLOBAL ID：200903014112379580
半導体装置及びその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045045
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246420
出願日： 1996年03月01日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 簡易に製造を行うことができ、小型化が図れる半導体装置及びその製法を提供する。【解決手段】 基板1に半導体素子LD,PDが形成され、その基板1の裏面に形成した孔7を通して半導体素子LD,PDの電極6pが導出され、さらに基板1の裏面を含む電極パッド8が形成されてなる半導体装置10を構成する。
請求項（抜粋）：
基板に半導体素子が形成され、上記基板裏面に形成した孔を通して上記半導体素子の電極が導出され、上記基板裏面に電極パッドが形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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