特許
J-GLOBAL ID：200903014130619777
可逆的抵抗変化特性を有するLCPMO薄膜の作成
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-127597
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338607
出願日： 2003年05月02日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 抵抗ベースの不揮発性メモリデバイスを製造する方法を確立すること【解決手段】 ペロブスカイト薄膜を形成する方法は、ペロブスカイト前駆物質溶液を調製する工程と、ペロブスカイト薄膜の堆積のためにシリコン基板を準備する工程であって、基板上に底部電極を形成する工程を含む、工程と、基板をスピンコーティング装置に固定し、基板を所定のスピン速度でスピンさせる工程と、ペロブスカイト前駆物質溶液をスピンコーティング装置に注入することによって基板をペロブスカイト前駆物質溶液でコーティングし、コーティングされた基板を形成する工程と、コーティングされた基板を約90°Cから300°Cまで漸増的に上昇する温度でベーキングする工程と、コーティングされた基板を約500°Cから800°Cの間の温度で約5分から15分間、アニールする工程とを含む。
請求項（抜粋）：
ペロブスカイト薄膜を形成する方法であって、ペロブスカイト前駆物質溶液を調製する工程と、ペロブスカイト薄膜の堆積のためにシリコン基板を準備する工程であって、該基板上に底部電極を形成する工程を含む、工程と、該基板をスピンコーティング装置に固定し、該基板を所定のスピン速度でスピンさせる工程と、該ペロブスカイト前駆物質溶液を該スピンコーティング装置に注入することによって該基板を該ペロブスカイト前駆物質溶液でコーティングし、コーティングされた基板を形成する工程と、該コーティングされた基板を約90°Cから300°Cまで漸増的に上昇する温度でベーキングする工程と、該コーティングされた基板を約500°Cから800°Cの間の温度で約5分から15分間、アニールする工程とを含む、方法。
IPC (2件)：
H01L 27/10 451
, H01L 21/205
H01L 27/10 451
, H01L 21/205
5F045AB40
, 5F045EB20
, 5F045HA16
, 5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083PR23
, 5F083PR33
