特許
J-GLOBAL ID：200903014189545203
磁性メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-027019
公開番号（公開出願番号）：特開平11-232711
出願日： 1998年02月09日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 反強磁性層、磁性層、非磁性層、磁性層の順に積層された多層膜を磁性メモリとして利用する。【解決手段】 反強磁性層15、磁性層14、非磁性層13、磁性層12の順に積層された多層膜よりなるメモリセル10をレーザ光20で加熱し、メモリセル10を冷却する時に磁界Hを印加することにより、反強磁性層15から磁性層14に印加される交換バイアス磁界の向きに対応した情報を記録する。
請求項（抜粋）：
反強磁性層、第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層の順に積層された多層膜を備え、前記反強磁性層から前記第1の磁性層に印加される交換バイアス磁界の向きに対応させて記録値を与えることを特徴とする磁性メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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メモリー素子及び増幅素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-277574
出願人：松下電器産業株式会社
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特開平4-023293
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磁気メモリデバイス
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-137246
出願人：沖電気工業株式会社
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