特許

J-GLOBAL ID：200903014223962374

発光装置、発光装置の製造方法および窒化物半導体基板

発明者： 永井 陽一 ,  片山 浩二 ,  北林 弘之
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-144110
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324324
出願日： 2005年05月17日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】 製造コストを増大させることなく光の取出し効率を向上させることが可能な発光装置、当該発光装置の製造方法および当該発光装置の製造に用いることができる窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】 この発明に従った発光装置は、GaN基板1と、GaN基板1の第1の主表面の側に、n型AlxGa1-xN層3と、GaN基板1から見てn型AlxGa1-xN層3より遠くに位置するp型AlxGa1-xN層5と、n型AlxGa1-xN層3およびp型AlxGa1-xN層5の間に位置する量子井戸(MQW:Multi-Quantum Well)4とを備えた発光装置である。当該発光装置では、p型AlxGa1-xN層5の側をダウン実装し、GaN基板1の第1の主表面と反対側の主表面である第2の主表面1aから光を放出する。GaN基板1の第2の主表面1aには半球状の凸部82が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の第1の主表面の側に、n型窒化物半導体層と、前記窒化物半導体基板から見て前記n型窒化物半導体層より遠くに位置するp型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層の間に位置する発光層とを備えた発光装置であって、 前記p型窒化物半導体層の側をダウン実装し、前記窒化物半導体基板の前記第1の主表面と反対側の主表面である第2の主表面から光を放出し、 前記窒化物半導体基板の前記第2の主表面には半球状の凸部が形成されている、発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/302 101B

Fターム (26件)：

5F004BA04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DB19 ,  5F004EB08 ,  5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA92 ,  5F041DA02 ,  5F041DA04 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA26 ,  5F041DA44 ,  5F041DA57

引用特許：

出願人引用 (2件)

• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-081901   出願人：豊田合成株式会社
• 特許第3362836号明細書
  

審査官引用 (1件)

• 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-055674   出願人：日亜化学工業株式会社