特許
J-GLOBAL ID：200903033699509591

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者：
千田 昌伸

千田 昌伸 について

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上村 俊也

上村 俊也 について

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面家 英樹

面家 英樹 について

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橋村 昌樹

橋村 昌樹 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (3件)： 小西 富雅 ,  中村 知公 ,  萩野 幹治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-081901
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056088
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【目的】発光効率の高いIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【構成】発光する層からみて素子の主たる光放出面と反対側に反射面を備え、この反射面は半導体成長面に対して傾斜している。発光する層から放出されて反射面で反射された光は、半導体層(特に発光する層)を通過することなく、発光素子の側面から外部へ放出される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
発光する層からみて素子の主たる光放出面と反対側に反射面を有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子であって、 前記反射面は少なくとも半導体層の成長面と異なる角度の面を有し、前記発光する層から放出された光は該反射面で反射されて発光素子の側面から外部へ放出される、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (21件)：
5F041AA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041DA02 ,  5F041DA26 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA46 ,  5F041DA47 ,  5F041DA57 ,  5F041DB02 ,  5F041DB09
引用特許：
審査官引用 (14件)
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