特許
J-GLOBAL ID：200903009409716779

窒化物系半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
川田 康博

川田 康博 について

, 
長濱 慎一

長濱 慎一 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-055674
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258301
出願日： 2002年03月01日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 フェイスダウン実装に用いる輝度の向上した窒化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 対向する一対の主面を有する基板を備え、その基板の一方の主面上に1以上のn型窒化物半導体層と、活性層と、1以上のp型窒化物半導体層とが積層して形成され、その基板の他方の主面を光出射面にして配線基板に実装される窒化物半導体発光素子であって、基板は一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1)で表わされる窒化物半導体から成り、光出射面が光出射方向に突出した凸部を有する。
請求項（抜粋）：
対向する一対の主面を有する基板を備え、該基板の一方の主面上に1以上のn型窒化物半導体層と、活性層と、1以上のp型窒化物半導体層とが積層して形成され、上記基板の他方の主面を光出射面にして配線基板に実装される窒化物半導体発光素子であって、上記基板は一般式InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1)で表わされる窒化物半導体から成り、上記光出射面が光出射方向に突出した凸部を有する窒化物半導体発光素子。
Fターム (11件)：
5F041AA04 ,  5F041AA14 ,  5F041AA33 ,  5F041AA40 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB14 ,  5F041DA04
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (23件)
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