特許
J-GLOBAL ID：200903014239376270
絶縁ゲート型半導体装置の駆動方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189410
公開番号（公開出願番号）：特開平9-046201
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【目的】IGBTを含む半導体装置を駆動する駆動装置において、ターンオン損失を低減すると共に、ターンオン時のIGBTの電流の時間変化率di/dtを低減することができる駆動装置を提供する。【構成】駆動回路2、3と、各駆動回路とIGBT1のゲートとを接続するゲート抵抗4及びその抵抗値がゲート抵抗4よりも小さいゲート抵抗5と、各駆動回路の動作タイミングを制御する遅延回路8及び論理回路9とを有し、入力端子7にターンオン信号が入力され遅延回路8が遅延した信号を出力するまでの時間t1の間は、抵抗値がより大きいゲート抵抗4を通じて駆動回路2がIGBT1のゲートに電流を供給し、時間t1以降は、抵抗値がより小さいゲート抵抗5を通じて駆動回路3がIGBT1のゲートに電流を供給する。
請求項（抜粋）：
ゲートにオン信号が加わった直後の初期状態が、ゲート電圧が時間と共に上昇する第1の期間と、当該第1の期間に続く、ゲート電圧がゲート-コレクタ間容量の増加のためほぼ一定となる第2の期間とを少なくとも含んでいる、絶縁ゲート型半導体素子を備えた絶縁ゲート型半導体装置の駆動方法において、前記ゲートに印加する駆動電圧を、前記初期状態が続く期間中に変化させるものであり、前記第1の期間全体を少なくとも含む第1’の期間に前記ゲートに印加する駆動電圧を、当該第1’の期間に連続して設定される、前記第2の期間の少なくとも一部を含む第2’の期間に前記ゲートに印加する駆動電圧よりも低くすることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の駆動方法。
IPC (3件)：
H03K 17/56
, H03K 17/04
, H03K 17/08
H03K 17/56 Z
, H03K 17/04 Z
, H03K 17/08 Z
