特許
J-GLOBAL ID：200903014245075967

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、電子回路、表示装置および電子機器

発明者：
守谷 壮一

守谷 壮一 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-138562
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051199
出願日： 2004年05月07日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】 駆動電圧が低く、高いトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタ、かかる薄膜トランジスタの製造方法、信頼性の高い電子回路、表示装置および電子機器を提供すること。【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタ1は、基板2上に下地層9を介してゲート電極3が設けられ、さらにゲート電極3を覆うようにゲート絶縁層4が設けられている。このゲート絶縁層4上にはソース電極5およびドレイン電極6が、ゲート電極3の直上部を避けるように分離して設けられ、これらの電極5、6を覆うように有機半導体層7が設けられている。この有機半導体層7の各電極5、6間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域71となっている。有機半導体層7上には、保護層8が設けられている。このような薄膜トランジスタ1では、有機半導体層7は、ゲート絶縁層4より後に形成されたものであること、ゲート絶縁層4は、有機半導体層7を配向させる機能を有することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
チャネル領域を有する有機半導体層と、 前記チャネル領域を挟むように設けられたソース領域及びドレイン領域と、 前記チャネル領域に対応するゲート電極と、 前記ゲート電極と前記有機半導体層の間に設けられ、前記有機半導体層側の面に前記有機半導体層を配向させるための配向面を有するゲート絶縁層とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L29/786 ,  G02F1/167 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  G02F1/167 ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/28
Fターム (35件)：
5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN27
引用特許：
審査官引用 (6件)
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