特許
J-GLOBAL ID：200903014283053942

透過電子顕微鏡用試料の切り込み加工法

発明者：
鈴木 秀和

鈴木 秀和 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-328188
公開番号（公開出願番号）：特開2001-141620
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 本発明の課題は、薄片化仕上げ加工の後ガラスプローブを用いて確実に保持すると共にメッシュ上に移送載置してTEM観察用の試料を安定して作成することができる加工法を提供することである。【解決手段】 ウェハ状の試料に試料面上方より集束イオンビームを照射して観察断面の両側をエッチングし、薄片化が適度に進んだ状態で試料面をチルトして薄片化加工された試料に集束イオンビームを走査させて、少なくともその底辺部の切り込み加工を行い、試料面を元に戻し集束イオンビームを上方より照射して薄片化仕上げ加工を行う。該仕上げ加工が終了したところで切り込み加工がなされていない両辺部に対し試料面上方より集束イオンビームを照射し、切り込み加工を実行する。
請求項（抜粋）：
ウェハ状の試料に対し試料面上方からの集束イオンビームによって薄片化加工するステップと、試料台をチルトして深い角度からのビーム照射により薄片の少なくとも底辺部に切り込み加工を施すステップと、試料台を元に戻して再度薄片化加工を実行することで前記切り込み加工によって受けたダメージを研磨し試料表面の仕上げ加工を施すステップと、薄片面方向のビームの照射位置を薄片両端部近傍に位置決めし、残りの両側辺の切り込み加工を実行するステップとからなる透過電子顕微鏡用試料の切り込み加工法。
IPC (3件)：
G01N 1/28 ,  G01N 1/32 ,  H01L 21/66
FI (5件)：
G01N 1/32 B ,  H01L 21/66 N ,  G01N 1/28 G ,  G01N 1/28 F ,  G01N 1/28 U
Fターム (4件)：
4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CA51 ,  4M106DH50
引用特許：
審査官引用 (4件)
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