特許
J-GLOBAL ID：200903014285181042

半導体装置のコンタクト形成方法

発明者：
南部 英高

南部 英高 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-325550
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150415
出願日： 1998年11月16日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 基板に垂直でアスペクト比が高いコンタクトを加工する場合であっても、抜け性とボ-イング形状の双方を同時に達成可能な半導体装置のコンタクト形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板2の表面上に酸化膜を形成する工程と、フォトリソグラフィにより前記酸化膜のコンタクト5形成予定領域をエッチングしてコンタクト5を途中まで形成する第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程よりも低い温度で前記酸化膜を更にエッチングしてコンタクト5を形成する第2エッチング工程と、を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面上に酸化膜を形成する工程と、フォトリソグラフィにより前記酸化膜のコンタクト形成予定領域をエッチングしてコンタクトを途中まで形成する第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程よりも低い温度で前記酸化膜を更にエッチングしてコンタクトを形成する第2エッチング工程と、を有することを特徴とする半導体装置のコンタクト形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/302 J
Fターム (14件)：
4M104DD07 ,  4M104DD10 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104EE02 ,  4M104EE14 ,  4M104FF27 ,  4M104HH14 ,  5F004BD03 ,  5F004CA04 ,  5F004DB03 ,  5F004EA28 ,  5F004EA30 ,  5F004EB01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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