半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078939
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274433
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】エピタキシャル・キャパシタを使用した半導体メモリにおいて、信頼性が高くかつ超高集積化が可能なメモリセルを提供すること。【解決手段】半導体基板1上に第一の電極膜3及び誘電体膜4をいずれもエピタキシャル成長させる工程と、誘電体膜4上に第二の電極膜5を形成してキャパシタとなる積層構造を形成する工程と、この積層構造の一部を除去して半導体基板1の表面を露出する工程と、この半導体基板1の露出表面11から単結晶半導体層12をエピタキシャル成長させる工程と、単結晶半導体層12にトランジスタを形成する工程とを具備することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第一の電極膜及び誘電体膜をいずれもエピタキシャル成長させる工程と、前記誘電体膜上に第二の電極膜を形成してキャパシタとなる積層構造を形成する工程と、この積層構造の一部を除去して前記半導体基板の表面を露出する工程と、この半導体基板の露出表面から単結晶半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、前記単結晶半導体層にトランジスタを形成する工程とを具備することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 451 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-253289 出願人：株式会社東芝
半導体素子のキャパシタ構造及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-059972 出願人：ソニー株式会社
特開平4-280671

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