特許
J-GLOBAL ID：200903014335749290

半導体装置およびその製造方法

発明者：
野口 淑恵

野口 淑恵 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082014
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277550
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 基板上にチップを搭載後、信頼性の得られる樹脂によってこれを封止し、基板の捨てしろが極力小さくなるように個片化し、個片化した半導体装置が散乱しないように安定に保持することを目的とする。【解決手段】 樹脂封止にトランスファーモールド樹脂を用い、チップは基板上に製品外形に相当するピッチで配置して、樹脂封止後、樹脂表面側に粘着テープを貼り付ける。その後、製品外形の外周に相当する領域において、基板側から、わずかな樹脂の厚みを残してレーザ照射によって切断を行い、残りの厚みは粘着テープ側からレーザ切断溝を押すように力を加え、ブレイクして個片化する。粘着テープの外周を引き伸ばして、個片化された半導体装置が粘着テープに安定に保持された状態でピックアップ、パレタイジングなどのハンドリング処理を行う。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体装置の製品外形寸法に相当するピッチで複数個のチップを搭載する工程、上記チップが搭載された被処理基板上にトランスファーモールド樹脂を導入し、上記チップを一括して樹脂封止する工程、上記被処理基板の上記トランスファーモールド樹脂側の表面に粘着シートを貼り付ける工程、上記被処理基板の製品外形の外周に相当する領域に対し、上記トランスファーモールド樹脂に吸収されやすいレーザビームを、上記基板側から照射し、上記基板と上記トランスファーモールド樹脂の大部分の厚みを切断する工程、上記レーザビームの照射による上記被処理基板の切断において、切断されずに残された上記トランスファーモールド樹脂をブレイクして、上記被処理基板を個片化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/56 ,  H01L 23/28
FI (2件)：
H01L 21/56 T ,  H01L 23/28 Z
Fターム (9件)：
4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA21 ,  4M109DB15 ,  4M109DB16 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13
引用特許：
審査官引用 (5件)
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