特許

J-GLOBAL ID：200903014350969485

有機半導体装置

発明者： 高橋 幸裕 ,  長谷川 達生 ,  阿部 恭 ,  十倉 好紀
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-049759
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237271
出願日： 2005年02月24日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】 単一の有機半導体層にP型として動作する電極と、N型として動作する電極を併せ持つ高性能の有機半導体装置を実現することを課題とする。【解決手段】 有機半導体層40に対して電子と正孔を効率よく注入することができる電極を、それぞれ電子供与性分子材料と電子受容性分子材料の組み合わせからなり電子を効率よく注入できる導電性電荷移動錯体と、これとは構成分子の組み合わせが異なり正孔を効率よく注入することができる導電性電荷移動錯体で構成した少なくとも二種の電極2、3、4、5を備えた有機半導体装置によって解決される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

有機半導体層と、該有機半導体層との電気的接点を構成する電極であって、該電極、又は該有機半導体と接する側の電極の一部が、電子供与性分子材料と電子受容性分子材料の組み合わせからなる導電性電荷移動錯体を形成した電極を有し、単一の該有機半導体層に対して電子を注入する該導電性電荷移動錯体とする電極と、該電極とは構成分子の組み合わせが異なり正孔を注入する導電性電荷移動錯体とする電極との、少なくとも二種の電極を備えたことを特徴とする有機半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 51/05

FI (5件)：

H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/28

Fターム (31件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB08 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD51 ,  4M104GG02 ,  4M104GG06 ,  4M104GG08 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110HK01 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 米国特許第5347144号明細書
  
• 米国特許第5625199号明細書
  
• 米国特許第652816号明細書
  
• 有機トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-402664   出願人：株式会社東芝
• 修飾電極及び電極修飾法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-153163   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-350697   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

引用文献：

出願人引用 (1件)

• n型有機錯体単結晶FETへの高効率キャリヤ注入