特許
J-GLOBAL ID：200903014370769075
半導体デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053116
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317418
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 基板上のパターンを寸法的に安定化する半導体デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】a ホトレジスト層26を基板13上に形成するステップと、b前記ホトレジスト層にウィンドウ27を形成するために前記ホトレジスト層をパターン化するステップと、c 前記パターン化されたホトレジスト層の上に金属化層31を堆積するステップと、d 前記ホトレジスト層26を前記基板から除去するステップとからなり、前記金属化層31をリフトオフプロセスにより前記金属化層の一部を前記ウィンドウ27内に残し、前記cステップの前に、e前記パターン化されたホトレジスト層をUV放射28のフラックスに露光して架橋を形成するするステップを有することを特徴とする。この架橋が形成されホトレジスト層はその後の処理に対し熱的に安定する。
請求項（抜粋）：
(a) ホトレジスト層(26)を基板(13)上に形成するステップ(図3)と、(b) 前記ホトレジスト層にウィンドウ(27)を形成するために前記ホトレジスト層をパターン化するステップ(図4)と、(c) 前記パターン化されたホトレジスト層の上に金属化層(31)を堆積するステップ(図6)と、(d) 前記ホトレジスト層(26)を前記基板から除去するステップと、からなる半導体デバイスの製造方法において、前記金属化層(31)をリフトオフプロセスにより前記金属化層の一部を前記ウィンドウ(27)内に残し、前記(c)ステップの前に、(e) 前記パターン化されたホトレジスト層をUV放射(28)のフラックスに露光するステップ(図4)を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 P
, H01L 21/92 604 R
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示
前のページに戻る
