特許

J-GLOBAL ID：200903014407603393

半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置

発明者： 辰巳 哲也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-068747
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273072
出願日： 2002年03月13日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】膜組成に応じた最適なガス組成でエッチングを行い、良好な加工形状が得られる半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置を提供する。【解決手段】主にシリコン酸化膜からなる被エッチング膜に、フロロカーボン系ガスを含むエッチングガスを反応させ、フロロカーボン系脱離物を揮発させて被エッチング膜を加工するドライエッチング工程を含み、フロロカーボン系脱離物の平均的組成がイオンエネルギーに応じた所定の脱離物組成(例えばCF2 )となるように、被エッチング膜の組成に応じて、エッチングガス中のフッ素量と炭素量との比を最適化してドライエッチングを行う半導体装置の製造方法と、それに用いるドライエッチング装置。

請求項（抜粋）：

主にシリコン酸化膜からなる被エッチング膜に、フロロカーボン系ガスを含むエッチングガスを反応させ、フロロカーボン系脱離物を揮発させて前記被エッチング膜を加工するドライエッチング工程を含み、前記フロロカーボン系脱離物の平均的組成がイオンエネルギーに応じた所定の脱離物組成となるように、前記被エッチング膜の組成に応じて、前記エッチングガス中のフッ素量と炭素量との比を最適化してドライエッチングを行う半導体装置の製造方法。

Fターム (9件)：

5F004AA05 ,  5F004CA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 表面処理方法および表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-144862   出願人：株式会社東芝
• 集積した低K誘電体層とエッチング停止層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-173807   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマエッチング方法および電子デバイスの製造方法並びにプラズマエッチング装置およびプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-194923   出願人：株式会社日立製作所
• エッチング終点判定方法並びにドライエッチング方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-091221   出願人：株式会社日立製作所