特許
J-GLOBAL ID：200903014412384942

半導体圧力センサおよびその製造方法

発明者：
寺田 雅一

寺田 雅一 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-304090
公開番号（公開出願番号）：特開2000-131169
出願日： 1998年10月26日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 基板にダイヤフラム及び該ダイヤフラム直下に位置する圧力基準室を有する半導体圧力センサにおいて、圧力基準室の封止部に存在する微小なリーク経路を遮断し、圧力基準室の気密性をより確実にする。【解決手段】 圧力センサ1は、基板としてのウエハ10内部に形成された圧力基準室としての空洞部13と、ウエハ10のうち空洞部13よりも上側の部位に形成された受圧用のダイヤフラム14とを備える。空洞部13には、空洞部13からウエハ10の上側の面に連通する穴部としての開口部15が形成され、この開口部15はポリシリコンからなる薄膜16によって埋められており、更に、ウエハ10の上側の面には、薄膜16を被覆し、空洞部13からの空気漏れを防止するBPSG(Boro-phospho silicate glass)膜からなる保護膜17が形成されている。
請求項（抜粋）：
基板(10)内部に形成された圧力基準室としての空洞部(13)と、前記基板(10)のうち前記空洞部(13)よりも前記基板(10)の一面側の部位に形成された受圧用のダイヤフラム(14)とを備える半導体圧力センサにおいて、前記空洞部(13)から前記基板(10)の一面に連通する穴部(15)と、前記穴部(15)を埋めるように堆積された薄膜(16)とを備え、前記基板(10)の一面には、前記薄膜(16)を被覆し、前記空洞部(13)からの空気漏れを防止する保護膜(17)が形成されていることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84
FI (2件)：
G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B
Fターム (19件)：
2F055BB01 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG15 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA14 ,  4M112CA16 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA10 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA13 ,  4M112FA11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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