蛍光性光メモリー

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-524955
公開番号（公開出願番号）：特表2001-524245
出願日： 1997年12月03日
公開日（公表日）： 2001年11月27日
要約：

【要約】本発明は、高情報密度で情報を記憶することが可能な活性媒体を実現する蛍光性3次元光メモリーを製造する方法及びこの方法で製造された光メモリーデバイスを含む。本発明に用いられるこの活性媒体は少なくとも2つの異性形態で存在することが可能な材料である。一方の形態から他の形態への転移は、第1のスペクトルを有する「書き込み」用の電磁放射線でこの材料を照射すると実行することができる。同時に、他方の異性形態は、第2のスペクトルを持つ「読み出し」用の電磁放射線でこの材料を照射すると蛍光することが可能である。第1のスペクトルを有する放射線で照射することによって、蛍光が可能な形態と不可能な形態とのどちらかであり得る実質的に同じ異性形態を包含する媒体材料内に基本セルが作成される。情報は、活性媒体内に分布する基本セル内に包含される前述の異性形態の内の1つの形態の活性媒体の量に関連する数値として媒体内に記憶される。

請求項（抜粋）：

情報を記憶する光3次元メモリーを製造する方法であって、以下の主要な一連のステップから成る製造方法。 a)第1電磁放射の単一ビーム照射において蛍光性である第1形態、前記第1電磁放射の照射において非蛍光性である第2形態のいずれかの形態にある材料から成る活性媒体を含む層で、基板をコーティングするステップであって、一方の形態から他方の形態への転移が、前記第1放射のスペクトルとは異なったスペクトルで規定される第2電磁放射の単一ビームで前記材料を照射することによって可能である、前記ステップ。 b)活性媒体を含む前記層を前記第1又は第2の電磁放射線で照射し、これによって、前記媒体内のさまざまな位置に分布し、前記材料の前記第1又は第2形態を含み、記録される情報のために割り当てられた複数の基本セルを、前記活性媒体内に生成させるステップ。 c)活性媒体を含む前記層を保護中間層で覆うステップ。

IPC (6件)：

G11B 7/24 522 , B41M 5/26 , G11B 7/004 , G11B 7/24 516 , G11B 7/24 , G11B 7/26 531

FI (7件)：

G11B 7/24 522 Q , G11B 7/004 Z , G11B 7/24 516 , G11B 7/24 522 A , G11B 7/24 522 X , G11B 7/26 531 , B41M 5/26 Y

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭61-285451
特開昭60-236119
特開昭61-285451

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