特許
J-GLOBAL ID：200903014439879820

半導体ウェーハの処理装置および半導体ウェーハの処理方法

発明者：
丸谷 新治

丸谷 新治 について

, 
田村 健雄

田村 健雄 について


出願人/特許権者：
コマツ電子金属株式会社

コマツ電子金属株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 高久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181840
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015439
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】半導体ウェーハ処理装置を分解することなく反応室の内壁に析出された堆積物を完全に除去する。【解決手段】加熱手段12が反応室2の内壁2aに形成された堆積物11の近傍に設けられて、堆積物11の近傍から当該堆積物11が加熱される。そして分解除去用のガス18(エッチングガス:HCl)が反応室2に供給され、加熱された堆積物11が化学反応(Si(s)+2HCl(g)→SiCl2(g)+H2(g))により分解され反応室2の内壁2aから取り除かれる。
請求項（抜粋）：
反応室の外部に設けられた熱源で発生した熱線を、前記反応室の壁を透過させて前記反応室内に配置された半導体ウェーハに導くことにより当該半導体ウェーハを所定温度まで加熱して所定の反応処理を行うとともに、前記反応室の内壁に形成された堆積物を取り除く除去処理を行う半導体ウェーハの処理装置において、前記反応室の内壁に形成された堆積物の近傍に、当該堆積物を加熱する加熱手段を設けるとともに、当該加熱された堆積物を化学反応により分解して前記反応室の内壁から取り除く分解除去用のガスを前記反応室に供給する分解除去用ガス供給手段を設けたことを特徴とする半導体ウェーハの処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N
Fターム (23件)：
5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB05 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004DA29 ,  5F004DB02 ,  5F045AB02 ,  5F045AC13 ,  5F045BB14 ,  5F045DP04 ,  5F045DP16 ,  5F045DP28 ,  5F045EB06 ,  5F045EF20 ,  5F045EG02 ,  5F045EG06 ,  5F045EK07 ,  5F045EK12 ,  5F045EK23 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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