長寿命高温プロセスチャンバ

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外8名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-519127
公開番号（公開出願番号）：特表2001-522138
出願日： 1998年11月02日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
要約：

【要約】中央に位置するサセプタ(20)および周囲の温度制御リング(22)の近傍にチャンバを上部領域および下部領域に分割する前方および後方チャンバ分割板(16、18)を有する、一般に水平に配向した石英のCVDチャンバ(10)が開示される。CVDプロセス部品の寿命の改善およびおよび関連する生産高の改善が開示される。一般に分割板およびチャンバ上壁と平行で両者の間に間隔を置いて延びているサセプタから下流に未使用反応材ガスの一部を吸収するゲッタ板(30)が配置される。このゲッタ板はまたチャンバ壁上への付着を最小化し、洗浄工程の効率を改善する。再放射部品もまた冷たいチャンバ壁領域を加熱するためにチャンバの側壁の近傍に配置される。チャンバの寿命を改善するために、ゲッタ板、再放射部品、サセプタおよびリングは全て固体の化学気相付着されたSiCで作られる。また、サセプタ近傍の熱電対(34)には石英被覆より多くのプロセスサイクルに耐えるようにSiC被覆が施される。石英を失透から保護するためにSiC遮蔽をチャンバ全体の石英部品に備えることができる。生産高は休止時間の削減およびプロセスサイクルの洗浄ステップ時間の削減によって改善される。

請求項（抜粋）：

石英壁を有し、また付着ガスを受け入れる入口を有するプロセスチャンバと、ウエハを受け入れるように前記チャンバ内に位置する固体炭化ケイ素サセプタと、前記サセプタを近傍で取り囲む炭化ケイ素リングと、未使用反応材ガスを受け取るように前記サセプタおよび前記リングから下流に位置する炭化ケイ素ゲッタ板とを含む、半導体などの基板を加工するための化学気相付着装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , G01K 1/12

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 B , G01K 1/12

引用特許：

出願人引用 (6件)

熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-164393 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-074835 出願人：富士電機株式会社
コールドウォール形処理装置のクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-309258 出願人：東京エレクトロン株式会社

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審査官引用 (6件)

熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-164393 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-074835 出願人：富士電機株式会社
コールドウォール形処理装置のクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-309258 出願人：東京エレクトロン株式会社

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