半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-085233
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277522
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】スルーホール開口時に露出するAl側面から、タングステン成膜時の高温環境下にてAlウィスカーが発生することを防止し、また、タングステン成長時の原料ガスとAlが反応するのを防止して、製造歩留まりと信頼性の向上を図る。【解決手段】スルーホールに対して下層配線がオーバーラップマージンを持たないパッドレススルーホールの場合、Al膜の側面がスルーホール9開孔により露出する(b)。窒素プラズマを照射することにより、窒化処理を行い露出したAl膜4側面に窒化層4bを形成する(c)。タングステンプラグを形成するために、バリアメタル10とタングステン膜11を堆積する(d)。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成された、上表面に反射防止膜を有する下層アルミニウム配線と、前記第1の層間絶縁膜上および前記下層アルミニウム配線上を覆う、前記下層アルミニウム配線の表面を露出させるスルーホールが開設された第2の層間絶縁膜と、前記スルーホール内を充填する導電層を介して前記下層アルミニウム配線と接続された、前記第2の層間絶縁膜上に延在する上層アルミニウム配線と、を有する半導体装置において、前記下層アルミニウム配線の側面の前記導電層と接触する部分には不働態化膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/28 301 R , H01L 21/90 A

Fターム (68件)：

4M104BB03 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD88 , 4M104EE08 , 4M104EE12 , 4M104EE17 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH18 , 5F033HH23 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ23 , 5F033JJ27 , 5F033JJ28 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK18 , 5F033KK23 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK33 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN12 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ19 , 5F033QQ24 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ78 , 5F033QQ90 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033WW03 , 5F033XX09 , 5F033XX31

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-286327
多層配線を有する半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-153722 出願人：沖電気工業株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-130739 出願人：株式会社日立製作所

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