特許
J-GLOBAL ID：200903014458689047

半導体装置

発明者：
中沢 芳人

中沢 芳人 について

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町田 信夫

町田 信夫 について

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工藤 聡

工藤 聡 について

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山内 俊一

山内 俊一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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日立東部セミコンダクタ株式会社

日立東部セミコンダクタ株式会社 について


代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-126528
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323707
出願日： 1999年05月07日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 メインセルと挙動の類似したセンスセルを形成することが可能な技術を提供する。【解決手段】 半導体基板主面にセンスセルとメインセルとを形成した半導体装置において、前記センスセルとメインセルとの間に不活性セルを配置する。また、前記センスセルとメインセルとの間に不活性セルを配置し、前記不活性セルの拡散層を互いに接続する。更に、前記センスセルの周囲にフローティングの不活性セルを配置し、前記フローティングの不活性セルの周囲に接地電位に固定された不活性セルを配置し、前記接地電位に固定された不活性セルの周囲にメインセルを配置する。この構成によって、センスセルから隣接するメインセルへ流れる寄生電流を防止することができるので、信頼性の高いセンスセルを形成することが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板主面にセンスセルとメインセルとを形成した半導体装置において、前記センスセルとメインセルとの間に不活性セルが配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H02M 3/28
FI (4件)：
H01L 29/78 657 F ,  H02M 3/28 K ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 658 L
Fターム (13件)：
5H730AA20 ,  5H730BB23 ,  5H730CC01 ,  5H730DD04 ,  5H730DD21 ,  5H730EE08 ,  5H730FD41 ,  5H730FG01 ,  5H730XX04 ,  5H730XX15 ,  5H730XX26 ,  5H730XX35 ,  5H730ZZ11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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