特許

J-GLOBAL ID：200903014479452519

多結晶金属酸化物薄膜とその製造方法及び不揮発性メモリ

発明者： 名古 久美男 ,  高橋 健 ,  小佐野 浩一 ,  村岡 俊作 ,  三谷 覚
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-022885
公開番号（公開出願番号）：特開2005-213105
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：

【課題】電子デバイス等に用いられる所望膜厚を有する均一な膜厚の多結晶金属酸化物薄膜とその製造方法及びそれを用いた不揮発性メモリを提供する。【解決手段】有機金属化合物、金属アルコキシド、または有機酸塩と有機溶剤を混合したゾル-ゲル液中に金属酸化物の微粉末粒子を分散した分散液の塗膜を、スピンコーティング法またはディップコーティング法で基板上に形成し、この塗膜の溶媒除去、化学反応、及び結晶化が完了するまでの工程、すなわち塗膜の加熱乾燥工程及び/または焼成工程において振動を加えることにより、表面が平坦で均一な膜厚の多結晶金属酸化物薄膜を得る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機金属化合物、金属アルコキシド、または有機酸塩と有機溶剤を混合したゾル-ゲル液中に金属酸化物の微粉末粒子を分散した分散液により基板上に塗膜を形成する工程と、前記塗膜の溶媒除去、化学反応、及び結晶化が完了するまでの工程中の全期間または一部の期間に、その塗膜に振動を加える工程を具備していることを特徴とする多結晶金属酸化物薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

C01B13/14 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (4件)：

C01B13/14 Z ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 444A ,  H01L27/10 447

Fターム (26件)：

4G042DA02 ,  4G042DD02 ,  4G042DE03 ,  4G042DE14 ,  4G076AA02 ,  4G076AA18 ,  4G076AB02 ,  4G076AB11 ,  4G076AB13 ,  4G076BA11 ,  4G076BA24 ,  4G076BA38 ,  4G076CA10 ,  4G076CA18 ,  4G076CA19 ,  4G076CA31 ,  4G076DA30 ,  5F083FR00 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA14 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F101BA62 ,  5F101BH16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 強誘電体薄膜及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-087894   出願人：株式会社リコー
• ゾルゲルコーティング法によるセラミック厚膜の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-527922   出願人：クイーンズユニバーシティアットキングストン