特許
J-GLOBAL ID：200903014506500075
バンプ電極形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
黒田 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014489
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274209
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 基板に表面実装される半導体チップ等の部品にバンプ電極を一括形成することができる低コストのバンプ電極形成方法を提供する。【解決手段】 バンプ電極形成用の貫通孔5aが形成された孔版マスク5を、チップ4に分割する前のウェハー1のバンプ電極形成面に装着し、貫通孔5aを通して導電性ペースト7を該バンプ電極形成面に印刷し、該バンプ電極形成面にバンプ電極2を一括形成する。凹版マスク105のバンプ電極形成用の凹部106に溶融金属103を充填した後、該凹版マスク105の凹部側を、チップ4に分割する前のウェハー1のバンプ電極形成面に密着させることにより、ウェハー1のバンプ電極形成面にバンプ電極2を一括形成してもよい。
請求項（抜粋）：
複数の部品に分割される前の中間製造物のバンプ電極形成面に複数のバンプ電極を一括形成するバンプ電極形成方法であって、バンプ電極形成用の貫通孔が形成された孔版マスクを該中間製造物のバンプ電極形成面に装着し、該孔版マスクの貫通孔を通して導電性ペーストにより該バンプ電極形成面に該バンプ電極を一括形成するための印刷をすることを特徴とするバンプ電極形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 E
, H01L 21/92 603 C
