プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、基板および半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-305232
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109908
出願日： 2001年10月01日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】処理速度の向上、処理品質の向上、基板の大面積化を可能とするプラズマ処理装置、プラスマ処理方法、基板および半導体装置を提供する。【解決手段】電極に高周波電源1から高周波電力を給電してプラズマを発生し、基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、電極2が、所定の間隙をあけて位置する複数の部分電極21,22,23,24から構成され、高周波電圧が部分電極の各々に印加される印加点10が、部分電極から構成される電極2の外周端部に位置し、隣り合って位置する部分電極に給電される高周波の位相が異なるように、高周波電力の給電経路に位相差生成手段71,72,73,74を備える。

請求項（抜粋）：

高周波電源と、基板配設部に配設された基板に処理を施す処理室とを備え、前記処理室内において、電極に前記高周波電源から高周波電力を給電してプラズマを発生し、前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記電極が、所定の間隙をあけて位置する複数の部分電極から構成され、前記高周波電力が前記部分電極の各々に印加される印加点が、前記電極の外周端部に位置し、隣り合って位置する前記2つの部分電極に印加される高周波電圧の位相が異なるように、前記高周波電力の給電経路に位相差生成手段を備える、プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/505 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/505 , H05H 1/46 M , H01L 21/302 C

Fターム (32件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA30 , 4K030CA06 , 4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030JA18 , 4K030JA19 , 5F004AA01 , 5F004AA16 , 5F004BA06 , 5F004BA07 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BC08 , 5F004CA03 , 5F004CA05 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD06 , 5F045AE21 , 5F045AF07 , 5F045BB02 , 5F045BB08 , 5F045BB09 , 5F045CA13 , 5F045EH04 , 5F045EH07 , 5F045EH08 , 5F045EH14 , 5F045EH19

引用特許：

審査官引用 (2件)

高周波グロー放電を利用した表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-069684 出願人：富士電機株式会社
表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-156968 出願人：アネルバ株式会社

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