特許
J-GLOBAL ID：200903028730737049

高周波グロー放電を利用した表面処理方法

発明者：
佐々木 敏明

佐々木 敏明 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-069684
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268994
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 高周波グロー放電を利用した表面処理方法において、定在波の発生を抑止し、放電の安定性,表面処理の均一性および表面処理速度の向上を図る。【解決手段】 反応室3内に高周波電極1と基板電極2とを備えた装置に、高周波電源4から高周波電力を導入し、高周波電極1に印加された高周波電圧により励起されるグロー放電によりプラズマ10を発生して、基板の表面処理を行う高周波グロー放電を利用した表面処理方法において、前記高周波電極の分割された各導体部101の前記プラズマ生成空間に対向した表面の最大寸法が、真空中の光速Cの四分の一を高周波印加電圧の周波数fで除した値C/4fより小となるようにして表面処理する。
請求項（抜粋）：
ガス導入手段と真空排気手段とを有する真空気密可能な反応室内に、高周波電極と,基板を配設するための基板電極とを備えた装置に、高周波電源から高周波電力を導入し、前記高周波電極に印加された高周波電圧により励起されるグロー放電によりプラズマを発生して、前記基板の表面処理を行う高周波グロー放電を利用した表面処理方法において、前記高周波電極の前記プラズマ生成空間に対向した表面の最大寸法が、真空中の光速Cの四分の一を高周波印加電圧の周波数fで除した値C/4fより小となるようにして処理することを特徴とする高周波グロー放電を利用した表面処理方法。
IPC (6件)：
H05H 1/24 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (7件)：
H05H 1/24 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 B ,  C23C 16/50 G ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C
Fターム (51件)：
4K029AA01 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA43 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC29 ,  4K029DC35 ,  4K029FA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030BB04 ,  4K030BB05 ,  4K030CA01 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  4K030KA18 ,  4K030LA16 ,  5F004AA03 ,  5F004BA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F004CA09 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045EH04 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20
引用特許：
審査官引用 (8件)
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