配線構造およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-048127
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252279
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路などで用いる銅配線表面を、簡便な手法で安定して形成できる導電性の保護膜で、より性能良く酸化防止できるようにする。【解決手段】形成された配線103の露出面をニッケルからなる保護膜105で覆う。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された銅からなる配線と、この配線の露出面を被覆するニッケルのメッキ膜からなる保護膜とを備えたことを特徴とする配線構造。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/288

FI (3件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/288 N

Fターム (11件)：

4M104BB13 , 4M104DD53 , 4M104FF17 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM11 , 5F033MM12 , 5F033XX20

引用特許：

出願人引用 (3件)

審査官引用 (4件)

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