特許

J-GLOBAL ID：200903014550298127

パターニング方法およびパターニング装置

発明者： 福田 浩章 ,  大津 元一
出願人/特許権者： 財団法人神奈川科学技術アカデミー
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169154
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016856
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 加工精度が描画光の波長により制限されないマスクレスのパターニング方法およびパターニング装置装置を提供する。【解決手段】 物質表面110に、膜形成のための原料ガスを吸着させた後に排気して、原料ガスの吸着層を残す。次に、先細り形状にされて不透明な金属膜が被着された光ファイバプローブ120の先端に設けられた、光波長よりも小さい径を有する開口部から、物質表面110の膜を形成する部分にのみエバネッセント場130の光を照射して、膜成長のための核を選択的に生成する。そして、この物質表面110の原料ガスの吸着層に集束していないレーザ光(励起光)を照射しながら原料ガスを再び供給して、核から所望のパターン形状の膜を光化学反応により選択的に成長させる。物質表面110上に予め成膜しておき、原料ガスを適当に選択すれば、同様にして選択的なエッチングを行うこともできる。

請求項（抜粋）：

材料表面に任意形状のパターンを形成するパターニング方法において、膜を形成するための原料ガスを基板表面に吸着させる原料ガス吸着工程と、上記原料ガスが吸着した基板表面に所望のパターンを回折限界以下の大きさにされた所定波長の光により描画して核を生成する核生成工程と、上記基板表面に上記原料ガスを再び供給して、上記核が生成された部分に光化学反応により膜を選択的に成長させる膜成長工程とを有することを特徴とするパターニング方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/04 ,  C23F 4/00 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/04 ,  C23F 4/00 ,  G03F 1/08 T ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/316 X

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光アシストパターン形成方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-121300   出願人：日本電気株式会社