特許
J-GLOBAL ID：200903014565590169
半導体測定装置、半導体測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-024900
公開番号（公開出願番号）：特開2007-207995
出願日： 2006年02月01日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：
【課題】励起光により励起された半導体試料に照射した電磁波(出力波)の反射波に基づいて半導体の特性評価用信号を生成するにあたり、測定装置の大型化や高コスト化を回避しつつ、測定装置と半導体試料との距離(リフトオフ)が変動しても精度の高い特性評価用信号を生成できること。【解決手段】励起光による半導体試料1の励起部に出力波Op1(電磁波)と励起パルス光とを照射し、コンピュータ11により、ミキサ15による出力波Op2と反射波Rt1との混合によって出力される検波信号Sg2と、励起部反射波信号Sg1のレベルを予め記録された検波信号Sg2及び励起部反射波信号Sg1の対応関係情報とに基づいて、励起部反射波信号Sg1が補正された特性評価用信号を生成して記憶手段に記録する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
励起光により励起された半導体の励起部に所定の電磁波である出力波を照射し、その反射波に基づいて前記半導体の特性評価用信号を生成する半導体測定装置であって、
前記反射波の信号と前記出力波の信号とを混合して検波信号を出力するミキサと、
前記ミキサにより出力される検波信号に基づいて前記反射波の信号を補正することにより前記特性評価用信号を生成する特性評価用信号生成手段と、
を具備してなることを特徴とする半導体測定装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/66 M
, G01R31/28 L
2G132AA00
, 2G132AE11
, 2G132AE22
, 2G132AF14
, 2G132AG01
, 2G132AL13
, 4M106AA01
, 4M106BA05
, 4M106BA09
, 4M106CB11
, 4M106DH12
, 4M106DH32
, 4M106DJ19
